SI3424CDV-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI3424CDV-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI3424CDV-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 8 A Resistance Drain-Source RDS (on): 26 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Fall Time: 8 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 17 S Gate Charge Qg: 4.2 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 3.6 W Rise Time: 12 ns Series: SI3424CDV Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 16 ns
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI3424CDV-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 221,28 KB