SI2302DDS-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI2302DDS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2302DDS-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 2.9 A Rds On: 57 mOhms Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 7 ns Forward Transconductance - Min: 13 S Gate Charge Qg: 3.5 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.71 W Rise Time: 7 ns Series: SI2302DDS Tradename: TrenchFET Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2302DDS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 183,09 KB